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一、系統(tǒng)概述
多晶硅還原爐體及鐘罩干式清理系統(tǒng)適用硅烷法多晶硅生產(chǎn)工藝,用于還原車(chē)間反應(yīng)釜中硅污染物附著力不大的工況條件下無(wú)污染干式清洗。清洗時(shí)利用上下移動(dòng)和旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)帶動(dòng)高壓氣體噴吹以及特殊旋轉(zhuǎn)刷組合機(jī)構(gòu)近距離對(duì)反應(yīng)釜表面進(jìn)行噴吹和接觸式清掃達(dá)到清洗的目的。通過(guò)清洗旋轉(zhuǎn)調(diào)速機(jī)構(gòu)可滿足各工況的要求。清洗的同時(shí)采用特殊除塵凈化器一次性進(jìn)行除塵凈化。
二、系統(tǒng)特點(diǎn)
1、裝置為移動(dòng)單元式結(jié)構(gòu);
2、凈化后的空氣可達(dá)到10萬(wàn)級(jí)的凈化精度可完全在室內(nèi)排放;
3、采用全封閉干式的清洗方式確保對(duì)環(huán)境不出現(xiàn)二次污染;
4、電氣設(shè)計(jì)按隔爆的各項(xiàng)要求執(zhí)行、 設(shè)備設(shè)有靜電導(dǎo)出裝置;
5、控制方式可為全自動(dòng)或手動(dòng)控制;
6、運(yùn)行總功率小,噪聲低。
三、清掃工藝
反應(yīng)釜吊裝至清洗臺(tái)上→定位→連接→啟動(dòng)凈化器→啟動(dòng)旋轉(zhuǎn)→上下移動(dòng)機(jī)構(gòu)→高壓氣體沿壁噴吹→旋轉(zhuǎn)刷至上而下接觸移動(dòng)清掃→凈化氣體置換→反應(yīng)釜吊起→檢查。
四、設(shè)備組成
主要由清洗平臺(tái)、氣體噴吹裝置、吸塵輸送管道、控制閥門(mén)、動(dòng)力機(jī)構(gòu)、清洗機(jī)構(gòu)、各管道快速接頭、除塵凈化器、電氣控制系統(tǒng)等組成。
主要部件采用進(jìn)口零部件,確保運(yùn)行可靠穩(wěn)定、使用周期長(zhǎng)。操作維修簡(jiǎn)單。
多晶硅還原爐體及鐘罩干式清理系統(tǒng)適用硅烷法多晶硅生產(chǎn)工藝,用于還原車(chē)間反應(yīng)釜中硅污染物附著力不大的工況條件下無(wú)污染干式清洗。清洗時(shí)利用上下移動(dòng)和旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)帶動(dòng)高壓氣體噴吹以及特殊旋轉(zhuǎn)刷組合機(jī)構(gòu)近距離對(duì)反應(yīng)釜表面進(jìn)行噴吹和接觸式清掃達(dá)到清洗的目的。通過(guò)清洗旋轉(zhuǎn)調(diào)速機(jī)構(gòu)可滿足各工況的要求。清洗的同時(shí)采用特殊除塵凈化器一次性進(jìn)行除塵凈化。
二、系統(tǒng)特點(diǎn)
1、裝置為移動(dòng)單元式結(jié)構(gòu);
2、凈化后的空氣可達(dá)到10萬(wàn)級(jí)的凈化精度可完全在室內(nèi)排放;
3、采用全封閉干式的清洗方式確保對(duì)環(huán)境不出現(xiàn)二次污染;
4、電氣設(shè)計(jì)按隔爆的各項(xiàng)要求執(zhí)行、 設(shè)備設(shè)有靜電導(dǎo)出裝置;
5、控制方式可為全自動(dòng)或手動(dòng)控制;
6、運(yùn)行總功率小,噪聲低。
三、清掃工藝
反應(yīng)釜吊裝至清洗臺(tái)上→定位→連接→啟動(dòng)凈化器→啟動(dòng)旋轉(zhuǎn)→上下移動(dòng)機(jī)構(gòu)→高壓氣體沿壁噴吹→旋轉(zhuǎn)刷至上而下接觸移動(dòng)清掃→凈化氣體置換→反應(yīng)釜吊起→檢查。
四、設(shè)備組成
主要由清洗平臺(tái)、氣體噴吹裝置、吸塵輸送管道、控制閥門(mén)、動(dòng)力機(jī)構(gòu)、清洗機(jī)構(gòu)、各管道快速接頭、除塵凈化器、電氣控制系統(tǒng)等組成。
主要部件采用進(jìn)口零部件,確保運(yùn)行可靠穩(wěn)定、使用周期長(zhǎng)。操作維修簡(jiǎn)單。